中科院解锁晶体管新潜能 热发射极技术革新集成电路

集成电路的心脏是晶体管，它像水流的阀门一样，灵活控制着电流的强弱。电子或空穴这些“载流子”，在晶体管的指挥下，或是平静流淌，或是汹涌澎湃，全看如何调控。

中国科学院金属研究所在探索半导体新境界时取得了突破。他们巧妙结合石墨烯等先进材料，解锁了“受激发射”的秘密，让载流子变身能量满满的“热载流子”。这种创新机制催生出“热发射极”晶体管，它不仅节能高效，还拥有罕见的“负电阻”特性。这项技术的横空出世，为集成电路的小型化与功能多样化铺平了道路，相关成果已于8月15日在《自然》杂志闪亮登场。

这一发现，不啻为晶体管领域的一股清流，预示着热载流子技术将引领未来集成电路向更低功耗、更多功能的高地迈进，开启半导体科技的新篇章。