汉骅半导体突破氮化镓MicroLED技术量产

基于硅集成电路的摩尔定律十年前已接近极限，提升半导体芯片性能成为行业共同面临的挑战。主流解决方案包括探索新材料和采用三维堆叠技术，以突破传统二维结构的限制。

在这一背景下，长三角国家技术创新中心支持的一家科技创新企业，利用氮化镓材料和3DIC异质混合集成技术，开辟了超越摩尔定律的新路径。汉骅半导体有限公司是该中心首个以“拨投结合”模式支持的重大项目公司。创始人顾星表示，中国在宽禁带半导体领域已与国际领先水平并驾齐驱。今年10月，汉骅成功实现8英寸硅基GaN MicroLED外延及多层堆叠技术的量产，产品进入快速通道，不仅在技术上取得突破，还在良率、重复性和可靠性上下功夫。

氮化镓等第三代半导体材料具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率和高电子饱和速率等优点，适用于高压、高频场景。通过禁带调控，氮化镓还能覆盖可见光谱。顾星指出，氮化镓已成为传统半导体材料的重要补充，在AI数据中心、微显示、光通讯等领域不断拓展应用边界。

汉骅的技术团队构建了大尺寸硅基氮化镓材料生长平台，通过化合物半导体与硅材料混合集成技术实现3DIC异构堆叠。他们将氮化镓光电材料的功能芯片与CMOS硅集成电路的驱动芯片异质集成，显著提升了芯片性能。今年10月，汉骅依托自研的“超越摩尔GaN Plus”平台，成功实现8英寸硅基GaN MicroLED外延及多层堆叠技术的量产，大大降低了生产成本，为AR微显示带来新机遇。

顾星强调，技术最终需经市场检验。今年以来，国内市场火爆，智能眼镜、电源管理和光通讯应用需求激增。明年，智能眼镜将在汉骅业务中占据更大比重。基于氮化镓的MicroLED集成芯片在像素密度、日光干扰、刷新频率和功耗等方面均领先。目前，汉骅在8英寸硅基GaN MicroLED中实现了3.75μm工艺量产，像素密度达1600 PPI，支持车用级需求，键合成品率达95%以上。未来2.5μm工艺下的像素密度将提升至2560 PPI，满足高端AR眼镜需求。

顾星表示，汉骅的产品已进入快速通道，不仅在技术上开拓，更注重良率、重复性和可靠性。经过7年努力，汉骅已建成全国最大的氮化镓材料生产基地，年产量达30万片。初创阶段，顾星面临资金和技术难题，但在江苏产研院的支持下，通过“拨投结合”模式解决了资金问题，确保了团队的话语权。如今，汉骅的产品不仅应用于功率领域，还进入了AR微显示等新兴领域，达到世界水平。